如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预 2023年12月5日 SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。 与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。 外延设 半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； 知乎2023年12月1日 碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明 半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎2023年10月27日 与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 2020年6月10日 它的主要用途有三个方面：用于制造磨料磨具；用于制造电阻发热元件———硅碳棒、硅碳管等；用于制造耐火材料制品。 作为特种耐火材料，它在钢铁冶炼 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺2021年1月15日 1 英罗唯森：开启碳化硅设备先河 化工号 关注 19:30 上海 来源：澎湃新闻澎湃号媒体 字号 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造 英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The 2 天之前 Hexoloy® SE 碳化硅管是用于精细和特种化学品的管壳式换热器最可靠的选择，具有几乎普遍的耐腐蚀性、高导热性、极高的硬度和出色的机械强度。 了解 SaintGobain Hexoloy SE 烧结碳化硅管和 SA 管板 形状2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社
2021年11月7日 使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。2020年6月16日 虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别，但是由于碳化硅材料的特性，退火的温度要高达1600摄氏度左右，在这么高的温度下，如何保证晶圆表面粗糙度，又要达到高的 离子激活率 和相 碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎2021年8月24日 目前，碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正（PFC）电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高，3～5年内碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来五年内碳化硅器件市场增长的主要驱动力将由碳化硅二极管转变为 碳化硅功率器件之一 知乎2022年3月22日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区 2022年3月7日 2、衬底 长晶完成后，就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学 碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎2021年12月5日 本文首发自公众号：价值盐选 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链 这个碳化硅是第三代半导体材料，第 碳化硅产业链最全分析 知乎2020年12月2日 举例子：特斯拉是使用碳化硅器件最早的一个汽车制造商，使用的型号是model3。在中低压领域，碳化硅和氮化镓为竞争关系，更倾向于氮化镓。在中低压碳化硅已经有非常成熟的二极管和MOSFET产品在市场当中推广应用。在高压领域：碳化硅有着独一 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国2021年8月16日 碳化硅器件产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造、下游应用，以及各环节所用设备构成。 目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主： 1、传统功率半导体龙头： 英飞凌（欧洲）、意法半导 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 2023年3月26日 而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。 为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托国家及省市科技项目，持之以恒开展碳化硅高端装备设计及晶体材料研究。打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品 2019年10月9日 微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷，在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前，大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm2的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体，微管密度低 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎2023年4月19日 导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。 图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破 知乎
2023年1月1日 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎2 天之前 SaintGobain Performance Ceramics Refractories 在化工行业拥有 30 多年的经验，是目前唯一一家生产用于管壳式换热器的碳化硅产品的制造商。 六角形 ® SE 碳化硅管是精细和特种化学品中使用的管壳式换热器最可靠的选择，具有几乎普遍的耐腐蚀性、高导热性、极高的硬度和出色的机械强度。Hexoloy SE 烧结碳化硅管和 SA 管板 形状2021年1月15日 英罗唯森：开启碳化硅设备先河 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足其防腐蚀要求。 同时该公司还是碳化硅换热器国家行业 英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The 2023年6月30日 6月21日，国内半导体前道制程量测设备公司优睿谱宣布，公司的碳化硅自动光学位错微管检测设备SICD系列交付客户。作为重要的宽禁带半导体材料，碳化硅具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率等优点，用其制造的高温大功率器件，具有优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点。优睿谱发布碳化硅自动光学位错微管检测设备SICD系列并 2023年6月28日 国产设备也在突进。据纳设智能CEO陈炳安介绍，碳化硅外延生产成本约占碳化硅器件总体成本的23%。现阶段，碳化硅外延的制备方法主要以化学气相沉积（CVD）为主，纳设智能开发了自主创新的碳化硅外延CVD设备，该设备的耗材成本、维护频率都较低。碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 腾讯网2022年1月4日 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！3、衬底在碳化硅价值占比是50%左右量，所以天岳、露笑等标的市场关注火爆！碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需 2021年11月24日 随 着衬底加工设备、清洗设备和测试设备的逐步到位及加工工艺优化，合肥工厂 9 月份基本可实现 6 英寸导电型碳化硅衬底片的小批量生产。 同时报告期内公司大幅增加碳化硅业务的研发投入，研发费用较去年同比增长 14807％，碳化硅的项的成功落地标志着公司由过去的基础制造企业完成向高端 SiC 衬底——产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展 知乎
2023年12月6日 金德碳化硅陶瓷特点 金德新材料充分运用了碳化硅超细微粉的优良特性，生产出的无压烧结碳化硅陶瓷制品具有耐磨、耐高温、耐腐蚀等优点，工作环境最高可以到达1650℃，其出色的表面光洁度特性使其非常适合应用在机械密封面、阀、轴承和石油、化工、汽车、军工、造纸等领域，还可以应用到 2023年7月6日 碳化硅概况碳化硅介绍碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的45倍；击穿电压为硅的810倍；电子饱和漂移速率为硅的23倍，满足了现代工业对高 碳化硅介绍（一）电子工程专辑2020年10月19日 在碳化硅器件的技术水平上，国内企业相对集中于基础二极管及中低压器件等低端领域，在对器件性能、可靠性要求较高的高端产品市场渗透率相对较低。 高压器件方面的国产化，最近也开始出现一些好消息。 比如： 泰科天润的碳化硅肖特基二极管、碳化 小议碳化硅的国产化 知乎2023年5月17日 03 碳化硅的国内外技术差距及发展机会 一是碳化硅衬底，生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。影响碳化硅衬底成本的制约性因素在于生产速率慢、缺陷控制难度大、产品良率低。【行业观察】国产替代加速，我国第三代半导体碳化硅迎来新 2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺2022年7月17日 其中黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。 绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀 预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
